Объединенные SiC диоды Шоттки повышают надежность источника питания...

В устройствах используется объединенная конструкция PIN-Шоттки (MPS), позволяющая сочетать высокую устойчивость к импульсным токам с низким прямым падением напряжения, емкостным зарядом и обратным током утечки для повышения эффективности и надежности в конструкциях импульсного питания.

Соответствующие RoHS и безгалогенные диоды прошли испытания на обратное смещение при более высоких температурах (HTRB) в течение 2000 часов и циклические испытания в течение 2000 термических циклов. Это вдвое больше часов и циклов тестирования, чем требуется в соответствии с требованиями AEC-Q101.

Типичные области применения устройств включают в себя корректировку выходного напряжения переменного/постоянного тока и сверхвысокочастотное выпрямление постоянного/постоянного тока в преобразователях FBPS и LLC для выработки энергии и геологоразведочных работ.

Диапазон токов SiC-диодов составляет от 4 А до 40 А в корпусах для сквозного монтажа TO-22OAC 2L и TO-247AD 3L, а также в корпусах для поверхностного монтажа D²PAK 2L (TO-263AB 2L). Структура MPS снижает прямое падение напряжения на 0,3 В по сравнению с предыдущими поколениями, а время падения прямого напряжения у них емкостного заряда — ключевого показателя эффективности (FOM) для энергоэффективности — на 17 % ниже.

Типичный обратный ток утечки на 30 % ниже при комнатной температуре и на 70 % ниже при высокой температуре, чем у ближайшего конкурирующего решения. Это снижает потери проводимости и обеспечивает высокую эффективность системы при небольших нагрузках и на холостом ходу. В отличие от сверхбыстрых диодов, устройства третьего поколения практически не имеют хвоста восстановления, что еще больше повышает эффективность.

По сравнению с кремниевыми диодами с сопоставимыми напряжениями пробоя, устройства SiC обеспечивают более высокую теплопроводность, меньший обратный ток и более короткое время обратного восстановления. Время обратного восстановления диодов практически не зависит от температуры, что позволяет работать при более высоких температурах до +175 °C без изменений в энергоэффективности, вызванных потерями переключения.

Детали #

ЕСЛИ(ВЫКЛ) (А)

ИФСМ (А)

VF и IF (V)

КК (нК)

Конфигурация

Упаковка

ВС-3C04ET07S2L-М3

4

29

1,5

12

Одинокий

Д²ПАК 2Л

ВС-3C06ET07S2L-М3

6

42

1,5

17

Одинокий

Д²ПАК 2Л

ВС-3C08ET07S2L-М3

8

54

1,5

22

Одинокий

Д²ПАК 2Л

ВС-3C10ET07S2L-М3

10

60

1,46

29

Одинокий

Д²ПАК 2Л

ВС-3C12ET07S2L-М3

12

83

1,5

34

Одинокий

Д²ПАК 2Л

ВС-3C16ET07S2L-М3

16

104

1,5

44

Одинокий

Д²ПАК 2Л

ВС-3C20ET07S2L-М3

20

110

1,5

53

Одинокий

Д²ПАК 2Л

ВС-3C04ET07T-М3

4

29

1,5

12

Одинокий

ТО-220АС 2Л

ВС-3C06ET07T-М3

6

42

1,5

17

Одинокий

ТО-220АС 2Л

ВС-3C08ET07T-М3

8

54

1,5

22

Одинокий

ТО-220АС 2Л

ВС-3C10ET07T-М3

10

60

1,46

29

Одинокий

ТО-220АС 2Л

ВС-3C12ET07T-М3

12

83

1,5

34

Одинокий

ТО-220АС 2Л

ВС-3C16ET07T-М3

16

104

1,5

44

Одинокий

ТО-220АС 2Л

ВС-3C20ET07T-М3

20

110

1,5

53

Одинокий

ТО-220АС 2Л

ВС-3C16CP07L-М3

2 х 8

54

1,5

22

Общий катод

ТО-247АД 3Л

ВС-3C20CP07L-М3

2 х 10

60

1,46

29

Общий катод

ТО-247АД 3Л

ВС-3C40CP07L-М3

2 х 20

110

1,5

53

Общий катод

ТО-247АД 3Л

Образцы и объемы производства новых SiC-диодов доступны уже сейчас, срок поставки составляет восемь недель.

www.Vishay.com.